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閃存芯片高低溫沖擊試驗(yàn)箱

時(shí)間:2024-11-05 10:14:55 作者:環(huán)儀小編 點(diǎn)擊:

閃存芯片高低溫沖擊試驗(yàn)箱主要檢查材料是否能承受快速的溫度變化。有些轉(zhuǎn)變?nèi)鐝母邷氐降蜏?,然后,從低溫到高溫。這些突然的變化會(huì)導(dǎo)致應(yīng)力和損壞,如裂縫或斷裂,要目標(biāo)是看看材料如何應(yīng)對(duì)這些大的溫度波動(dòng)。

閃存芯片高低溫沖擊試驗(yàn)箱(圖1)

冷熱沖擊測(cè)試定義

冷熱沖擊測(cè)試又叫為高低溫沖擊試驗(yàn)或者溫度沖擊試驗(yàn),是將試驗(yàn)樣品暴露在高溫和低溫的連續(xù)交替環(huán)境中使其在短時(shí)間經(jīng)歷溫度的急劇變化,考核產(chǎn)品對(duì)周邊環(huán)境溫度急劇變化的能力。在鑒定試驗(yàn)和例行試驗(yàn)中必不可少,也可以應(yīng)用于環(huán)境應(yīng)力篩選試驗(yàn)。

技術(shù)參數(shù):

閃存芯片高低溫沖擊試驗(yàn)箱(圖2)

高低溫沖擊試驗(yàn)分兩箱法和三箱法

二箱設(shè)備區(qū)分為高溫區(qū),低溫區(qū)兩部分,測(cè)試產(chǎn)品置于提籃中,沖擊時(shí)提籃將測(cè)試產(chǎn)品移動(dòng)進(jìn)高溫區(qū)或低溫區(qū)進(jìn)行沖擊,測(cè)試產(chǎn)品為動(dòng)態(tài)式。

三箱設(shè)備區(qū)分為高溫區(qū),低溫區(qū),測(cè)試區(qū)三部分,測(cè)試產(chǎn)品完全靜止。采用獨(dú)特之蓄熱、蓄冷結(jié)構(gòu),強(qiáng)制冷熱風(fēng)路切換方式導(dǎo)入測(cè)試區(qū),完成冷熱溫度沖擊測(cè)試。可獨(dú)立設(shè)定高溫、低溫及冷熱沖擊三種不同條件之功能,執(zhí)行冷熱沖擊條件時(shí),可選擇二箱或三箱功能并具有高低溫試驗(yàn)箱的功能。

閃存芯片高低溫沖擊試驗(yàn)箱(圖3)

產(chǎn)品說(shuō)明:

1、應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、電子產(chǎn)品和其他軍用設(shè)備在周圍大氣溫度急劇變化條件下的適應(yīng)性試驗(yàn)。

2、立式結(jié)構(gòu),高低溫箱循環(huán)過(guò)程自動(dòng)控制,停留及轉(zhuǎn)換時(shí)間可調(diào),不銹鋼內(nèi)膽,多形式記錄,設(shè)有多種安全保護(hù)措施及裝置。

3、滿足 MIL-STD-810D方法 032、 GB2423.22-89Na、 GJB1505-86等。


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標(biāo)簽: 高低溫沖擊試驗(yàn)箱

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