為了研究Flash存儲器在不同溫度下的性能變化的機理和溫變規(guī)律，評估其空間應用的可行性，為Flash器件在空間型號任務的應用提供試驗依據(jù)和改進建議。在溫變規(guī)律研究中，一般會用到高低溫試驗箱，下面，我們來了解一下Flash存儲的高低溫性能擦寫試驗研究。
試驗設備：環(huán)儀儀器 NAND Flash高低溫篩選試驗機
試驗樣品：某品牌Flash存儲器件 30個
試驗原理：溫度循環(huán)試驗是采用 GJB548 標準，1010B 條件循環(huán) 20 次，溫循后在常溫下測試器件電參數(shù)，從而判斷溫循前后器件電參數(shù)是否發(fā)生了變化。
試驗過程：
1.先在-35~85 ℃的環(huán)境下進行了3個循環(huán)的高低溫循環(huán)試驗，每個高溫和低溫環(huán)境下各穩(wěn)定2h;
2.然后從-35℃的低溫升到95℃在 95 ℃下工作 2h;
3.接下來升溫到105 ℃，并在 105 ℃的溫度下連續(xù)工作 240 h。
試驗過程中 FASH 不停地進行擦、編程、讀，編程操作選用 0x55 和 0xAA 交替數(shù)據(jù)源。試驗期間，記錄下不同溫度下每個芯片的壞塊數(shù)、所有塊中的最小塊擦除時間(EraseMin)、所有塊中的最大塊擦除時間(EraseMax)、所有頁中最小頁編程時間(ProgramMin)、所有頁中最大頁編程時間(ProgramMax)。
試驗結果：
1.30 個芯片的 EraseMin 在不同溫度下的變化情況，個別芯片(2、16、18)在-35℃低溫條件下擦除時間比常溫時增加 72%。如下圖所示。
2.芯片的 EraseMax 在不同溫度下的變化情況，大部分芯片在-35 ℃低溫條件下擦除時間都發(fā)生了明顯增加，比常溫時增加 72%。由此可得，在-35 ℃的低溫情況下，塊擦除時間明顯增大，從常溫到 105 ℃的變化過程中,擦時間也逐漸增大，但是變化量較小，約10%。如下圖所示。
3.芯片的ProgramMin和 ProgramMax 在不同溫度下的變化情況。隨著溫度的增加，芯片的頁編程時間逐漸增大，基本與溫度成線性關系。從-35~105℃，頁編程時間增加了 15%。如下圖所示。
以上就是使用NAND Flash高低溫篩選試驗機對Flash存儲器件的試驗研究，如有疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關技術人員。
