IC晶片的溫濕度貯存試驗

根據(jù)《GB/T 4937.42-2023 半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫濕度貯存》標(biāo)準(zhǔn)的要求，IC晶片需要進(jìn)行溫濕度貯存試驗。溫濕度貯存試驗又分為濕熱試驗和不飽和高壓蒸煮試驗。試驗過程中，用到哪些設(shè)備？下面我們來看看。

一、濕熱試驗：

1. 試驗設(shè)備：交變濕熱試驗箱
2. 試驗要求
a. 40℃、90%RH，持續(xù)8000h的存儲試驗。
b. 60℃、90%RH，持續(xù)4000h的存儲試驗。
c. 85℃、85%RH，持續(xù)1000h的存儲試驗。

二、不飽和高壓蒸煮試驗：

1. 試驗設(shè)備：HAST不飽蒸汽壽命試驗機
2. 試驗要求
a. 110℃、85%RH，持續(xù)264h的存儲試驗。
b. 120℃、85%RH，持續(xù)168h的存儲試驗。
c. 130℃、85%RH，持續(xù)96h的存儲試驗。

試驗完成且確保試驗箱內(nèi)的溫濕度恢復(fù)到接近規(guī)定的溫濕度曲線時，將器件從試驗箱中取出，并放置在室溫下。器件應(yīng)在室溫環(huán)境下保持2h后開始進(jìn)行電性能測試，直至測試完畢。

在不飽和高壓蒸煮試驗下，試驗完成后處理器件時應(yīng)小心謹(jǐn)慎，因為可能會發(fā)生不同于其他試驗導(dǎo)致的失效模式，此類失效模式是由于冷凝、溫度和壓力突變和其他相關(guān)因素造成的。