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《GB/T 36356-2018 功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范》標(biāo)準(zhǔn)

時(shí)間:2023-07-01 09:01:22 作者:環(huán)儀小編 點(diǎn)擊:

GB/T 36356-2018 是中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)為該領(lǐng)域的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試提供了規(guī)范和指導(dǎo)。


一、范圍:
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品(以下簡(jiǎn)稱(chēng)芯片)的技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片。


二、試驗(yàn)項(xiàng)目:
溫度循環(huán)試驗(yàn)、循環(huán)濕熱試驗(yàn),恒加速度試驗(yàn)等。


三、試驗(yàn)設(shè)備:
溫度沖擊試驗(yàn)箱、離心機(jī)等。

《GB/T 36356-2018 功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范》標(biāo)準(zhǔn)(圖1)


四、設(shè)備廠商:
環(huán)儀儀器


五、試驗(yàn)程序(部分):

1. 溫度循環(huán)
溫度循環(huán)試驗(yàn)按GB/T 2423.22-2012的規(guī)定進(jìn)行,試驗(yàn)后符合3.5.3的規(guī)定。

2. 循環(huán)濕熱
循環(huán)濕熱試驗(yàn)按GB/T 2423.4-2008的規(guī)定進(jìn)行,試驗(yàn)后符合3.5.4的規(guī)定。

3. 恒定加速度(適用于空腔封裝器件)
恒定加速度試驗(yàn)按GB/T 2423.15-2008的規(guī)定進(jìn)行,試驗(yàn)后符合3.5.5的規(guī)定。


GB/T 36356-2018 是在中國(guó)廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的技術(shù)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),有助于推動(dòng)該領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)化和質(zhì)量控制。


標(biāo)簽: 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

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